IRFIZ34E
1000
100
10
VGS
TOP 15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTT OM 4.5V
1000
100
10
VGS
TOP 15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTT OM 4.5V
4 .5V
4 .5V
2 0μ s PU LSE W ID TH
20 μs PU L SE W ID TH
1
T C = 2 5°C
A
1
T C = 175 °C
A
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 1. Typical Output Characteristics
V D S , Drain-to-Source V oltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
10
T J = 2 5 °C
T J = 1 7 5 °C
2.4
2.0
1.6
1.2
I D = 26 A
0.8
0.4
V D S = 2 5 V
1
4
5
6
7
2 0 μ s PU L SE W ID TH
8 9
10
A
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80
V G S = 1 0V
A
100 120 140 160 180
V G S , Ga te-to-S o urce V oltage (V )
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
T J , Junction T emperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
相关PDF资料
IRFIZ46NPBF MOSFET N-CH 55V 33A TO220FP
IRFIZ46N MOSFET N-CH 55V 33A TO220FP
IRFIZ48NPBF MOSFET N-CH 55V 40A TO220FP
IRFIZ48N MOSFET N-CH 55V 36A TO220FP
IRFL024NTR MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
IRFL1006TR MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
IRFL4105PBF MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
IRFL4105 MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
相关代理商/技术参数
IRFIZ34EPBF 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 2.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFIZ34G 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFIZ34G_09 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFIZ34GPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFIZ34N 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.04ohm, Id=21A)
IRFIZ34NHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220
IRFIZ34NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 19A 40mOhm 22.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFIZ34NPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET